发明名称 |
氧化物半导体热敏电阻器的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻器的制造方法,其主要是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,适用于温度测量、控制和线路补偿。 |
申请公布号 |
CN1046048C |
申请公布日期 |
1999.10.27 |
申请号 |
CN96122176.3 |
申请日期 |
1996.12.14 |
申请人 |
中国科学院新疆物理研究所 |
发明人 |
康健;杨文;张昭;王大为 |
分类号 |
H01C7/00;H01C7/02;H01C7/04 |
主分类号 |
H01C7/00 |
代理机构 |
中国科学院新疆专利事务所 |
代理人 |
张莉 |
主权项 |
1、一种氧化物半导体热敏电阻器的制造方法,其特征在于,该热敏电阻是以钴、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进入清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧,再进行预成型,冷等静压高湿烧结制成;原材料各组份配比为(摩尔百分比%)钴50-60 锰35-42 镍4.8-8.0 |
地址 |
830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号 |