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发明名称 Gate electrode for a semiconductor device
摘要
申请公布号 GB2336717(A) 申请公布日期 1999.10.27
申请号 GB19990008779 申请日期 1999.04.16
申请人 * NEC CORPORATION 发明人 KIYOTAKA * IMAI
分类号 H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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