| 发明名称 | 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的是微波通讯元器件的关键材料,其主成分是BaO、Ln<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>(Ln为La或Sm)、TiO<SUB>2</SUB>、Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>、副成分是(La<SUB>0.1</SUB>Bi<SUB>0.9</SUB>)<SUB>2</SUB>Ti<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>,主成分中各成分的含量(摩尔%)分别为BaO:8.34～41.66,Ln<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:4.17～20.83,TiO<SUB>2</SUB>:25.0～58.33,Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>:12.5～29.17,副成分的含量(重量%)是0～35。采用相应方法制备而成,这种微波介质陶瓷,其介电常数高达100～210,同时具有低损耗与较小的谐振频率温度系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1232801A | 申请公布日期 | 1999.10.27 |
| 申请号 | CN98107577.0 | 申请日期 | 1998.04.19 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 陈湘明;徐峥谊;杨敬思 |
| 分类号 | C04B35/01 | 主分类号 | C04B35/01 |
| 代理机构 | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于它的主成分是BaO、Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(Ln 为La或Sm)、TiO<sub>2</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、副成分是(La<sub>0.1</sub>Bi<sub>0.9</sub>)<sub>2</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>7</sub>，主成分中各成分 的含量(摩尔％)分别为： BaO8.34～41.66 Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>4.17～20.83 TiO<sub>2</sub>25.0～58.33 Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>12.5～29.17 且BaO+Ln<sub>2</sub>O<sub>3</sub>+TiO<sub>2</sub>+Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>的摩尔％为100，副成分的含量(重量％)是0～35。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市玉古路20号 | ||