| 发明名称 |
DRAM cell capacitor and method for fabricating thereof |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2336716(A) |
申请公布日期 |
1999.10.27 |
| 申请号 |
GB19990005192 |
申请日期 |
1999.03.05 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
BYUNG-JUN * PARK |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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