发明名称 | 220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术 | ||
摘要 | 本发明涉及晶体生长技术,尤其是大批量生长220毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术,属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<SUB>3</SUB>晶体。经测定在波长为340mm处具有良好透过度,抗辐照性能优异,可满足作为西欧核子中心对撞机用的闪烁材料的要求。 | ||
申请公布号 | CN1046006C | 申请公布日期 | 1999.10.27 |
申请号 | CN94112080.5 | 申请日期 | 1994.03.23 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 胡关钦;殷之文;徐力;古佩新;赵元龙;江金娥 |
分类号 | C30B29/12;C30B11/02 | 主分类号 | C30B29/12 |
代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 潘振甦 |
主权项 | 1、一种生长220毫米长的大尺寸、高质量氟化铈晶体的技术,包括原料处理、坩埚、生长设备和生长工艺四方面,其特征在于:(1)用高纯硝酸铈为起始原料,经氟化制成纯度99.95%的CeF3原料,外加掺入2-10wt%的氟化铅脱氧剂,装入坩埚预烧成多晶料块;(2)多晶料块粉碎后,再外加掺入1-5wt%的氟化铅脱氧剂装入三高石墨制作的坩埚,在石墨坩埚上开有25×25×35×35×300mm3的双孔或园形孔,底部有合适的扩晶锥度和引晶孔;(3)生长时熔体温度高于其熔点200℃,以2-10mm/hr生长速率下降生长,炉内保持10-3a真空度,生长的温度梯度为30℃/cm;(4)生长完成后从生长熔融温度降到200℃约需2-4天,然后自然冷却到室温。 | ||
地址 | 200050上海市定西路1295号 |