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<p>본 발명은 수평자장을 인가한 쵸크라스키법(Czochralski법)에 의해 실리콘 단결정을 육성함에 있어, 평균 결정성장속도를 Vave [mm/min]로 하고, 그 단결정의 반경을 r[mm]로 한 때, 식 Vave≥120/r를 높은 성장속도와 그리고, 성장중의 단결정의 회전수 R[rpm]을 R≤1250/r로 하여 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법 및 단결정의 산소농도 면내분포가 10%이하이고, 단결정의 일정 직경부의 결정축 방향에 대한 수직 방향의 변형율이 5%이하인 실리콘 단결정에 관한 것이다. 본 발명은 종래 기술의 상한치를 초월한 성장속도로 육성하여도 결정의 변형이 없고, 산소농도의 면내분포가 균일한 실리콘 단결정을 제조하는 방법과 고품질 실리콘 단결정을 제공한다.</p> |
