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<p>구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전송 트랜지스터의 확산층을 반도체 기판과 단락하는 일 없이 고저항 부하에 접속하는 것을 가능하게 한 고저항 부하 스태틱 RAM과 그 제조 방법을 제공한다. 반도체 기판(1)에 형성된 구동 트랜지스터의 게이트 전극(4)과, 전송 트랜지스터의 소스·드레인으로서의 확산층(5)과, 고저항 부하로서의 고저항막(9)을 접속하는 부분에 있어서, 확산층(5)의 고농도층(5a)이 게이트 전극(4)의 바로 아래에까지 연장되어 있으며, 이 연장된 영역을 포함하는 영역에서 고저항막(9)과 확산층(5) 및 게이트 전극(4)과의 전기 접속이 행해진다. 게이트 전극(4)과 확산층(5) 간의 반도체 기판(1)의 표면에 저농도층이나 기판 도전형 영역이 노출되지 않게 되어 확산층(5) 및 게이트 전극(4)과 반도체 기판(1) 간의 단락이 방지된다.</p> |
