| 摘要 |
<p>메모리 셀 어레이의 기록 및 소거에 대한 임계 전압을 검출함으로써 소거 임계 전압에 대한 적당한 판독 전압을 설정할 수 있고 그리고 판독 전압에 대한 적당한 기록 시간을 설정할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리가 제공된다. 플래쉬 EEPROM으로 불리우는 본 발명의 불휘발성 반도체 메모리는 제1 메모리 셀 어레이(1), 제2 메모리 셀 어레이(2), 열 디코더(3), 라인 디코더(4), 판독 제어 회로(5), 기록 및 소거 제어 회로(6), 기록 시간 제어 회로(7), 고전압 발생 회로(8), 카운터 회로(13), 1/N 회로(9), 및 판독 전압 발생 회로(11)를 포함한다. 제1 메모리 셀 어레이(1) 및 제2 메모리 셀 어레이(2)는 동일한 메모리 셀 어레이 상에 형성되고, 2개의 메모리 셀 어레이에 저장된 모든 데이타는 한번에 소거될 수 있다. 따라서, 메모리 셀 어레이의 모든 메모리 셀들은 동일한 소거 임계 전압을 갖는다. 제1 메모리 셀 어레이(1)는 자유롭게 기록될 수 있는 영역으로 설계되고, 제2 메모리 셀 어레이(2)는 메모리 셀들의 임계 전압을 검출하기 위한 영역으로서 설계되어 임계 전압을 검출할 때를 제외하고 제2 메모리 셀 어레이(2)에는 기록이 금지된다.</p> |
