| 摘要 |
<p>처리실(12)과, 처리실내에 설치되며, 기판(11)을 정전흡착방식에 의해 유지하는 하부전극(16)과, 하부전극(16)에 대향하는 상부전극(18)을 구비한 플라즈마에칭장치(10)를 사용한다. 피에칭면을 상면으로하여 기판(11)을 하부전극(16)에 유지하여, 프로세스가스를 처리실내에 도입하여, 고주파전압을 인가하여 감압상태의 플라즈마가스를 생성하여 기판(11)을 에칭가공한다. 에칭가공을 종료할 때, 프로세스가스의 공급을 정지함과 동시에 퍼지가스의 처리실내로의 공급을 개시하고, 해당 개시로부터 소정시간 경과후에 고주파전압의 인가를 정지한다. 이에 따라, 퍼지가스 흐름이 정상상태가 된 시점에서 고주파전원의 인가가 정지하여, 부유하고 있던 파티클은 퍼지가스와 함께 배출됨으로써, 플라즈마에칭장치내에서 발생한 파티클이 기판상에 부착하는 것을 방지하는 플라즈마에칭방법 및 플라즈마에칭장치를 제공한다.</p> |
