| 摘要 |
<p>DRAM에 사용하기 위한 한쌍의 메모리 셀은 웨이퍼의 벌크 부분에 의해 간격진 한쌍의 수직 트렌치를 우선 형성함으로써 실리콘 웨이퍼의 단결정 벌크 부분에 형성된다. 유전체 층이 각각의 트렌치 벽상에 형성된후, 트렌치는 다결정 실리콘으로 각각 충전된다. 한쌍의 리세스 형성 및 리세스 충전 단계에 의해, 중간 벌크 부분이 에피텍셜적으로 성장된 실리콘 지역이 각 트렌치의 상부에 형성된다. 각각의 에피텍셜 지역은 트랜체의 하부 폴리실리콘 충전물에 드레인을 가지며, 두개의 에피텍셜 지역 사이 중간에 단결정 벌크의 소스를 가지는 분리된 트랜지스터의 몸체로서 사용하기 위하여 만들어진다. 각 트렌치의 하부 폴리실리콘 충전물은 각 셀 캐패시터의 저장 노드로서 사용하기 위하여 만들어지고, 상기 벌크는 캐패시터의 다른 플레이트로서 사용한다.</p> |
