SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION THEREOF,申请号KR19990010636-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION THEREOF
摘要	<p>SGI 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 소자 형성 영역의 폭(액티브 폭 D)(㎛), SGI의 홈 산화량 T(㎛) 및 홈 하단부의 곡률 반경을 R로 했을 때, 다음식 (단, T는 0.01㎛ 이상임)의 관계를 만족하도록 D, T 및 R값을 선택하여 제조된 반도체 장치는, 홈 하단부의 실리콘 기판에서 발생하는 응력이 저감하여, 비정상적인 리크(leak) 전류를 발생하지 않는 우수한 특성을 갖는다.</p>
申请公布号	KR19990078323(A)	申请公布日期	1999.10.25
申请号	KR19990010636	申请日期	1999.03.26
申请人	null, null	发明人	이시쯔까노리오;미우라히데오;이께다슈지;요시다야스꼬
分类号	H01L21/76;H01L21/033;H01L21/762;H01L29/00	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
主权项
地址