发明名称 SQUID using a sapphire substrate and a process for the preparation thereof
摘要 <p>사파이어 기판을 사용하여 산화물 초전도 박막으로 형성된 SQUID를 제조한다. 사파이어 기판 위에 CeO박막, 화학식 1의 박막 및 SrTi0박막을 순차적으로 적층시키고, SrTiO박막 위에 피착시킨 산화물 초전도 박막으로 SQUID를 형성한다. 화학식 1 RBaCuO 위의 화학식 1에서, R은 희토류 원소이다</p>
申请公布号 KR19990078109(A) 申请公布日期 1999.10.25
申请号 KR19990009603 申请日期 1999.03.22
申请人 null, null 发明人 나가이시다쓰오키
分类号 G01R33/035;H01L39/22;H01L39/24 主分类号 G01R33/035
代理机构 代理人
主权项
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