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<p>MOS트랜지스터 등의 절연게이트 트랜지스터 및 그 제조방법과 반도체집적회로장치에 관한 것으로서, 고내압 소자와 저내압 절연게이트 트랜지스터를 1칩상에 동시에 집적화하는데 적합한 절연게이트 트랜지스터의 구조 및 제조방법을 제공하기 위해서, 제1 도전형 반도체기판상에 마련된 제2 도전형 소스영역 및 드레인영역, 소스영역과 드레인영역 사이의 위치에서 절연막을 거쳐서 상기 반도체기판의 표면상에 마련된 게이트전극 및 게이트전극의 아래에 위치하는 반도체기판의 표면과 반도체기판내에서 소스영역 및 드레인영역에 접하고 또한 소스영역 및 드레인영역보다 깊은 영역에 형성된 제2 도전형 반도체층을 구비하고, 반도체층에 있어서 소스에 접하는 부분의 최심부와 드레인에 접하는 부분의 최심부 사이의 간격이 게이트전극의 게이트길이 이상인 것으로 하였다. 이것에 의해, 고내압 소자와 단채널 미세 저내압 MOS트랜지스터를 동시에 혼재시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.</p> |
