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<p>MOS 트랜지스터의 열화된 스위칭 특성 또는 게이트 산화물막의 열화된 장기간 신뢰성, 소자 영역의 견부를 노출시키는 리세스를 형성하기 위해 소자 영역에 인접한 트랜치 외주의 실리콘 산화물막의 과도한 에칭으로 인해 발생하는 게이트 전극 및 실리콘 기판 간의 증가된 누설 전류 또는 열화된 게이트 내압같은 결함이 없는 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 이를 방지하기 위하여, 상기 실리콘 질화물막의 개구 직경보다 작은 직경의 트랜치를 형성하기 위해, 상기 개구가 상기 실리콘 질화물막에 형성된 후 상기 실리콘 기판의 상기 개구 측벽상에 실리콘 산화물막 스페이서가 제공된다.</p> |
