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发明名称 Semiconductor device
摘要 <p>MOSFET 반도체장치에서, 채널영역내의 소오스와 드레인사이의 전류경로중, 격리영역에 접하는 부분을 갖는 경로는 상기 소오스와 드레인사이의 최소거리이상의 거리를 갖고 상기 격리영역에 접하지않은 경로를 포함한다.</p>
申请公布号 KR19990077566(A) 申请公布日期 1999.10.25
申请号 KR19990007026 申请日期 1999.03.03
申请人 null, null 发明人 오쿠보히로아키
分类号 H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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