| 摘要 |
<p>실리콘 기판(1)상의 불순물 확산층들(9, 10)의 표면상에 코발트막(12) 및 산소 배리어막인 티타늄 질화막(13)을 형성한 후, 400 ℃ 미만의 온도에서 제 1 열처리를 수행하여, CoSi 막(31)을 형성한다. 이어서, 황산-과산화 수소 혼합용액을 이용하여, 티타늄 질화막 및 미반응 코발트막을 제거하고, 700 내지 900 ℃ 범위내의 온도에서 다른 열처리를 수행하여 CoSi막을 형성한다. 본 발명에 따르면, 확산층을 관통할 수도 있는 코발트 실리사이드 스파이크의 생성이 억제되고, 따라서, 누설전류가 잘 제어되어, 우수한 트랜지스터 특성 및 고신뢰성을 갖는다.</p> |
