| 主权项 |
1.一种预烧装置,系为于半导体晶圆上施与电气负荷及温度负荷来进行监别之预烧装置,其特征在于备有:对应于半导体晶圆上之各晶片之垫片之复数之第1端子、附加电气信号之复数之第2端子,与有连系这些第1端子和第2端子之复数之配线之配线基板;及有收容半导体晶圆用之收容部,于其中半导体被收容之状态下,上记复数之第1端子与半导体晶圆之垫片接触而被压着于上记配线基板之收容容器;及被接续于上记配线基板之第2端子经上记配线及上记第1端子将电气信号附加于上记半导体晶圆之各晶片上之电气信号附加机构,及控制上记半导体晶圆之温度之温度控制机构;及于上记收容容器与上记配线基板合在一起之状态下,将上记收容部内排气,而将这些压着之排气机构;其中,上记配线基板之第2端子系被滙集配置于上记收容容器之外侧。2.如申请专利范围第1项之预烧装置,其特征在于:上记配线基板系有多层构造。3.如申请专利范围第1项之预烧装置,其特征在于:上记温度负荷付与机构系,设于上记收容容器内,有冷媒通路及加热器。4.如申请专利范围第1项之预烧装置,其特征在于:有支持上记配线基板之基体。5.如申请专利范围第4项之预烧装置,其特征在于:上记基体系具有约与半导体晶圆同等之热膨胀率。6.如申请专利范围第1项之预烧装置,其特征在于:上记收容容器与半导体晶圆之间设有缓冲材。7.如申请专利范围第4项之预烧装置,其特征在于:上记配线基板与上记基体之间设有缓冲材。8.一种预烧用晶圆盘,系为于半导体晶圆上施与电气负荷及温度负荷来进行监别之预烧装置用之晶圆盘,其特征在于备有:对应于半导体晶圆上之各晶片之垫片之复数之第1端子、附加电气信号之复数之第2端子,与有连系这些第1端子和第2端子之复数之配线之配线基板;及有收容半导体晶圆用之收容部,于其中半导体被收容之状态下,上记复数之第1端子与半导体晶圆之垫片接触而被压着于上记配线基板之收容容器;及被接续于上记配线基板之第2端子经上记配线及上记第1端子将电气信号附加于上记半导体晶圆之各晶片上之电气信号附加机构,及控制上记半导体晶圆之温度之温度控制机构;及于上记收容容器与上记配线基板合在一起之状态下,将上记收容部内排气,而将这些压着之排气机构;其中,上记配线基板之第2端子系被滙集配置于上记收容容器之外侧。9.如申请专利范围第8项之预烧用晶圆盘,其特征在于:上记配线基板系有多层构造。10.如申请专利范围第8项之预烧用晶圆盘,其特征在于:有冷媒通路及加热器。11.如申请专利范围第8项之预烧用晶圆盘,其特征在于:有支持上记配线基板之基体。12.如申请专利范围第11项之预烧用晶圆盘,其特征在于:上记基体系具有约与半导体晶圆同等之热膨胀率。13.如申请专利范围第8项预烧用晶圆盘,其特征在于:上记收容容器与半导体晶圆之间设有缓冲材。14.如申请专利范围第11项之预烧用晶圆盘,其特征在于:上记配线基板与上记基体之间设有缓冲材。15.如申请专利范围第8项之预烧用晶圆盘,其特征在于:上记配线基板具有:由复数之第2端子形成差入式之配线端子部。16.如申请专利范围第15项之预烧用晶圆盘,其特征在于:上记排气部系设于上记收容容器之配线端子侧端部。17.一种预烧装置,系为于半导体晶圆上施与电气负荷及温度负荷来进行监别之预烧装置,其特征在于备有:具备对应于半导体晶圆上之各晶片之垫片之复数之第1端子、附加电气信号之复数之第2端子,与有连系这些第1端子和第2端子之复数之配线之配线基板;及有收容半导体晶圆用之收容部,于其中半导体被收容之状态下,上记复数之第1端子与半导体晶圆之垫片接触而被压着于上记配线基板之收容容器;且其中,上记配线基板之第2端子系被滙集配置于上记收容容器之外侧之复数之晶圆盘;及收容上记复数之晶圆盘之室;及被接续于上记复数之晶圆盘上之各配线基板之第2端子经这些配线基板之配线及上记第1端子将电气信号附加于上记收容于各晶圆盘之半导体晶圆之各晶片上之电气信号附加机构;及控制上记复数之晶圆盘内之各半导体晶圆之温度之温度控制机构;及上记各晶圆盘之收容部内滙集排气之排气机构。18.如申请专利范围第17项之预烧装置,其特征在于:上记各晶圆盘之配线基板具有:由复数之第2端子形成差入式之配线端子部,上记室内有插入这些配线端子部之复数之插入部。图式简单说明:第一图:表示本发明之一样态之预烧装置之断面图。第二图:作为本发明之预烧装置之配线基板而使用之多层配线基板之模式表示图。第三图:表示第一图之预烧装置之主要部分之预烧用晶圆盘之一样态之斜视图。第四图:表示本发明之预烧装置之主要部分之预烧用晶圆盘之其他样态之断面图。第五图:本发明之预烧装置之应用例之预烧测试单元之斜视图。第六图:本发明之其他样态之预烧装置之断面图。第七图:本发明之其他样态之预烧用晶圆盘之斜视图。第八图:适用第七图所示之晶圆盘之预烧装置之模式表示图。 |
