| 主权项 |
1.一种EEPROM半导体结构之制造方法,该半导体结构包括电阻,薄膜电晶体,电容器,储存电晶体及电晶体,其特征为:在第一种导电型之半导体基体(1)上于第一部份区域中产生场氧化层(2),且在第二部份区域中产生闸极氧化物(3),藉由沈积第一复晶矽层且随后在场氧化物(2)上进行结构化以便产生用于电阻,薄膜电晶体和电容器之矽结构(4,5,6),且在闸极氧化物(3)上产生用于储存电晶体之矽结构(7),电阻和薄膜电晶体所用之矽结构(4,5)以光罩技术进行覆盖,且电容器和储存电晶体所用之矽结构(6,7)以第二种导电型之掺杂物质来掺杂,去除光罩且在薄膜电晶体,电容器和储存电晶体之矽结构(5,6a和7a)区域中产生中间聚合介电质(14,15,16)且在另一步骤中于该介电质上沈积一层复晶矽且将其结构化,其中可产生用于电晶体之第二矽结构(13),薄膜电晶体和电容器之区域以另一光罩层覆盖,且以第二植入(18,19)在储存电晶体和电晶体之区域中进行LDD植入,同时对电阻区域中之矽结构(4)进行掺杂,去除该先前所产生之光罩,在电阻之中间区域(4c)中产生新的光罩,且以第二种导电型之渗杂物质对源极/汲极植入进行第三植入(27),其中电阻和薄膜电晶体之区域中的结构(4,5)之外侧区域(4a,4b,5a,5c)同时进行掺杂。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使用n导电型之半导体基体且以p导电型之离子或原子进行植入。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中第一复晶矽层和中间聚合介电质之厚度以LDD植入剂量来决定。4.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中电晶体制造成薄膜电晶体之形式。5.如申请专利范围第3项之方法,其中电晶体制造成薄膜电晶体之形式。图式简单说明:第一图至第五图之各图详细显示不同方法之状态中整个EEPROM晶格之构造。 |
