积体电路上形成旋涂式玻璃薄膜的方法

摘要

本发明提供一种形成旋涂式玻璃薄膜的方法，该方法可以防止半导体元件临限电压的漂移情形。为了达到此目的，一种低能量的电子束方法被应用在旋涂式玻璃薄膜上，该电子束的能量介于5kV至7kV间。

主权项

1.一种在积体电路上形成旋涂式玻璃薄膜的方法,其步骤包括:在已形成金属线的半导体矽基材上形成一层氧化层;在该氧化层上涂布一层旋涂式玻璃薄膜;以及,使用低能量的电子束布植该旋涂式玻璃薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之一种在积体电路上形成旋涂式玻璃薄膜的方法,其中电子束能量介于5kV到7kV。3.如申请专利范围第1项所述之一种在积体电路上形成旋涂式玻璃薄膜的方法,其中电子布植的浓度等于或大于3000微库伦/平方公分。图式简单说明:第一图是实施本发明的旋涂式玻璃薄膜的半导体元件的剖面图。第二图A到第二图C分别是使用炉管与电子束改善旋涂式玻璃薄膜的贯穿孔的剖面照片。