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Die Erfindung betrifft einen Hochvolt-Randabschluss für Planarstrukturen, mit einem Halbleiterkörper (1 bis 4) des einen Leitungstyps, auf dem in dessen Randbereich wenigstens eine von diesem durch eine durch eine Isolatorschicht (9) getrennte Feldplatte (7, 17) vorgesehen ist. Im Randbereich des Halbleiterkörpers (1 bis 4) sind floatende Gebiete (5, 15, 25) des zweiten Leitungstyps vorgesehen, deren Abstand voneinander derart bemessen ist, dass bereits bei einer im Vergleich zur Durchbruchspannung des Halbleiterkörpers (1 bis 4) zu den floatenden Gebieten (5, 15, 25) kleinen anliegenden Spannung die Zonen zwischen den floatenden Gebieten (5, 15, 25) ausgeräumt sind.
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