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发明名称 Verfahren zur Herstellung von doppelt-diffundierten integrierten MOSFET-Zellen
摘要
申请公布号 DE69131376(T2) 申请公布日期 1999.10.21
申请号 DE19916031376T 申请日期 1991.12.19
申请人 SILICONIX INC., SANTA CLARA 发明人 HSHIEH, FWU-IUAN;CHANG, MIKE;YILMAZ, HAMZA
分类号 H01L21/265;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8236;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/51;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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