| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Erzeugnis aus Siliziumcarbid, umfassend ein einkristallines, im 4H-Polytyp kristallisiertes und eine zugehörige, für einen bestimmten Leitfähigkeitstyp bestimmende Dotierung habendes Substrat (1) und eine über einer Hauptoberfläche (2) des Substrates (1) aufgewachsene, im 6H- und/oder 3C-Polytyp kristallisierte und eine zugehörige, für den Leitfähigkeitstyp bestimmende Dotierung habende Hauptschicht (4), wobei die Dotierung der Hauptschicht (4) schwächer als die Dotierung des Substrates (1) ist. Das Erzeugnis enthält vorzugsweise eine in die Hauptschicht (4) eingebettete Struktur (5, 6, 7, 8, 9, 10) für ein elektronisches Bauelement, insbesondere einen MOSFET. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung dieses Erzeugnisses.</p> |
