| 发明名称 |
DEPLETION TYPE MOS ELEMENT AND MOS POWER IC |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11289084(A) |
申请公布日期 |
1999.10.19 |
| 申请号 |
JP19980091297 |
申请日期 |
1998.04.03 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
YOSHIDA KAZUHIKO;KUDO MOTOI;FUJIHIRA TATSUHIKO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/866;H03K17/082;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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