发明名称 DISPOSITIVO PARA MULTIPLICACION DE TENSION.
摘要 EL OBJETO DE LA SOLICITUD SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA GENERAR UNA ALTA TENSION NEGATIVA, COMO LA QUE SE NECESITA POR EJEMPLO PARA PROGRAMAR EEPROM FLASH. EL OBJETO DE LA SOLICITUD MUESTRA ENTRE OTRAS COSAS LA VENTAJA DE QUE, PARA REDUCIR EL EFECTO DE CONTROL DEL SUSTRATO, LAS BANDEJAS QUE FORMAN CANALES DE CADA TRANSISTOR PUEDEN UNIRSE A UNA CONEXION DE UN TRANSISTOR, SIN QUE LA ALTA TENSION NEGATIVA POLARICE EL DIODO DE BANDEJA DE SUSTRATO EN LA DIRECCION DE AVANCE Y ASI SE PRODUZCA UN CORTOCIRCUITO RESPECTO AL SUSTRATO.
申请公布号 ES2135270(T3) 申请公布日期 1999.10.16
申请号 ES19960946073T 申请日期 1996.12.10
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 LAUTERBACH, CHRISTL;WEBER, WERNER
分类号 G11C16/06;G11C5/14;G11C11/4193;G11C16/30;H02M3/07;(IPC1-7):G11C16/06;H01L27/115 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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