| 发明名称 |
PROCEDE D'EPITAXIE SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM COMPRENANT DES ZONES FORTEMENT DOPEES A L'ARSENIC |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2766845(B1) |
申请公布日期 |
1999.10.15 |
| 申请号 |
FR19970010032 |
申请日期 |
1997.07.31 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
DUTARTRE DIDIER;JERIER PATRICK |
| 分类号 |
C30B29/06;C23C16/24;C30B25/02;C30B25/20;H01L21/205;(IPC1-7):C30B25/02;C23C16/44 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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