SILICON SINGLE CRYSTAL WITH LOW DEFECT DENSITY AND ITS PRODUCTION METHOD,申请号KR19960019997-传众专利搜索

发明名称	SILICON SINGLE CRYSTAL WITH LOW DEFECT DENSITY AND ITS PRODUCTION METHOD
摘要
申请公布号	KR100225274(B1)	申请公布日期	1999.10.15
申请号	KR19960019997	申请日期	1996.06.05
申请人	SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.	发明人	TAKANO, KIYOTAKAKI;KITAGAWA, KOUJI;IINO, EIICHI;KIMURA, MASANORI;YAMASHI, HIROTOSHI;SAKURADA, MASAHIRO
分类号	C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/208;(IPC1-7):C30B29/06	主分类号	C30B15/00
代理机构		代理人
主权项
地址