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发明名称 FABRICATING METHOD OF SILICON-ON-INSULATOR WAFER
摘要
申请公布号 KR100224674(B1) 申请公布日期 1999.10.15
申请号 KR19960065526 申请日期 1996.12.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 LEE, BYUNG-HOON
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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