A MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF THAT,申请号KR19970013510-传众专利搜索

发明名称	A MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF THAT
摘要
申请公布号	KR100224280(B1)	申请公布日期	1999.10.15
申请号	KR19970013510	申请日期	1997.04.12
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD.	发明人	CHOI, YOUNG-JAE;MOON, HONG-JUN;KO, HYEONG-CHAN
分类号	H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768	主分类号	H01L21/768
代理机构		代理人
主权项
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