| 发明名称 |
METHOD OF FORMING AN ELEMENT ISOLATION FILM IN A SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100226470(B1) |
申请公布日期 |
1999.10.15 |
| 申请号 |
KR19920008256 |
申请日期 |
1992.05.15 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
YANG, HYI-SIK |
| 分类号 |
H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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