| 发明名称 |
PLASMA CVD METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL FILM FORMED BY THE METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09181016(A) |
申请公布日期 |
1997.07.11 |
| 申请号 |
JP19950336309 |
申请日期 |
1995.12.25 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
MIYAMOTO TAKAAKI;KADOMURA SHINGO;KAWASHIMA ATSUSHI |
| 分类号 |
C23C16/50;C23C16/08;C23C16/511;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
C23C16/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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