| 摘要 |
In einem monolithisch integrierten Laserarray gemäß Anspruch 1 der Hauptanmeldung DE 19754473.8, bei dem die monolithische Integration auf InP erfolgt, die Emissionswellenlängen der als DFB-Laser ausgebildeten Laser im 1,3 mum- oder 1,55 mum-Bereich liegen und weitere Bauelemente zur Weiterverarbeitung der Laseremissionen auf dem Laserarry vorgesehen sind, sind erfindungsgemäß die Laser als Rippenwellenleiter-Laser ausgebildet, Mittel zur Kontrolle der Temperatur des Laserarrays und/oder zur thermischen Abstimmung der Laserwellenlänge der einzelnen Laser vorgesehen, ist zwischen jedem einzelnen Laser und der Chipfacette eine Monitordiode dicht hinter dem Laser angeordnet und besteht das unabhängige passive Koppelnetzwerk, das die einzelnen Laser mit dem Chipausgang verbindet, aus selektiv an die Laserschichten angewachsenen quaternären Schichten und darauf nach oben offenen Rippenwellenleitern und MMI-Kopplern als 3 dB-Koppelelementen.
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