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发明名称 CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FABRICATING METHOD
摘要
申请公布号 KR100224710(B1) 申请公布日期 1999.10.15
申请号 KR19960042688 申请日期 1996.09.25
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, YONG SONN;PARK, YONG OK
分类号 H01L21/28;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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