| 发明名称 |
Trench capacitor with epitaxial buried layer |
| 摘要 |
<p>A trench capacitor with an epitaxial layer in the lower portion of the trench. The epitaxial layer may be doped to serve as a buried plate. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0949684(A2) |
申请公布日期 |
1999.10.13 |
| 申请号 |
EP19990106682 |
申请日期 |
1999.04.01 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
SCHREMS, MARTIN |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L29/94;(IPC1-7):H01L29/94 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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