高电阻负载静态型RAM及其制造方法

摘要

本发明提供一种高电阻负荷静态型RAM及其制造方法,能够把驱动晶体管的栅电极和传输晶体管的扩散层与高电阻负荷连接而不会与半导体衬底短路。在连接形成在半导体衬底1的驱动晶体管的栅电极4、作为传输晶体管的源极·漏极的扩散层5和作为高电阻负荷的高电阻膜9的位置上,扩散层5的高浓度层5a延伸到栅电极4之下,在包含该延伸的区域的区域中,进行高电阻膜9和扩散层5及栅电极4的电连接。在栅电极4和扩散层5之间的半导体衬底1的表面上不会暴露出低浓度层和衬底导电型区域,而防止了扩散层5及栅电极4与硅衬底1之间的短路。

主权项

1．一种高电阻负荷静态型RAM(以下简称为高电阻负荷SRAM)，包括：形成在半导体衬底上的驱动用和传输用的各个MOS晶体管；分别与上述MOS晶体管的栅电极和源极·漏极的扩散层电连接的高电阻膜，其特征在于，上述扩散层的高浓度层延伸到上述栅电极之下，在包含该所延伸的区域的区域中，进行上述高电阻膜与上述扩散层及栅电极的电连接。