| 发明名称 | 双冠状电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成双冠状电容器的制造方法包括:形成第一介电层;构图和蚀刻以形成接触窗开口;在第一介电层上形成第一导电层,并填入接触窗开口;在第一导电层上形成第二介电层;构图和蚀刻第二介电层和第一导电层,以在接触窗开口上形成中间结构;形成第二导电层;构图和蚀刻之,形成多个间隙壁,并移除位于第二介电层上方的至少部分第二导电层;移除第二介电层;沉积第三介电层;及在第三介电层上形成第三导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1231511A | 申请公布日期 | 1999.10.13 |
| 申请号 | CN98116074.3 | 申请日期 | 1998.07.16 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 张格滎;杜友伦;罗吉进 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1．一种在一基底上形成双冠状电容器的制造方法，该方法包括下列步骤：在该基底上形成一第一介电层；构图和蚀刻该第一介电层，以形成一接触窗开口；在该第一介电层上形成一第一导电层，并填入该接触窗开口；在该第一导电层上形成一第二介电层；构图和蚀刻该第二介电层和该第一导电层，以在该接触窗开口上形成一中间结构，该中间结构有一位于该接触窗开口上的空的中间区域；在该中间结构上形成一第二导电层；构图和蚀刻该第二导电层，以在该中间结构的侧壁形成多个间隙壁，并移除位于该第二介电层上方的至少部分该第二导电层；移除该第二介电层；在该第一导电层和该第二导电层上方沉积一第三介电层；以及在该第三介电层上形成一第三导电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||