| 摘要 |
Un dispositivo, por ej. un dispositivo de iniciación de explosivos (24) incluye un dispositivo de puente semiconductor (10) que comprende almohadillassemiconductoras (14a y 14b) separadas por un puente iniciador (14c) y teniendo superficiesplan as metalizadas (16a y 16b) colocadas sobre las almohadillas(14a y 16b). Cada una de las superficies planas metalizadas (16a y 16b) comprende una capa base de titanio (18), una capa intermedia detitaniotungsteno (20) y una capa tope detungste no (22). Esta construcción multicapa es simple de aplicar, provee una buena adhesión al semiconductor (14)y características mejoradas de puente semiconductor y evita los problemas de migración electrónica existentes al usarsuperficies metali zadas de aluminiobajo condiciones extremas de pruebas de ausencia de disparo y voltaje o niveles de corriente de disparo muy bajas. El semiconductor (14) puede cubrirseopcionalmente por una tapa o cubierta (117) de una capaestratificada de metal si milar o idéntica a las superficies planas metalizadas (16a y 16b). Un métodopara elaborar los dispositivos de puente semiconductor incluye la pulverización metálica del tungsteno, a del titanio más el tungsteno y acontinuación eltungsteno sobre una superficie semiconductora adecuadamente enmascarada para obtener superficies planas metalizadas (16a y 16b) y/o la cubierta (117) delinvento. |
