室温制备具有周期电畴的ＬＴ、掺杂ＬＮ晶体的极化方法

摘要

本发明的技术解决方案是：采用厚０．２～０．５ｍｍＣ切ＬＴ或掺杂ＬＮ单畴晶片，±Ｃ面均精磨，抛光，用光刻技术在＋Ｃ面制作周期Ａ＝３～２０μｍ金属格栅作为电极，一Ｃ面对应区域镀平电极。高压矩形电脉冲正向施加于两电极间，其强度Ｅ＝２０kv～30KV/MM。施加的时间即脉冲宽度在１０ｍｓ～１Ｓ之间。

主权项

1．一种室温制备具有周期电畴的LT、掺杂LN晶体的极化方法，其特征是采用厚0.2～0.5mmC切LT或掺杂LN单畴晶片，用光刻技术在+C面制作周期A=3～20μm、周期数为500-600的金属格栅作为电极，-C面对应区域镀电极，高压矩形电脉冲正向施加于两电极间，其强度E=20KV～30KV/mm；施加的时间即脉冲宽度在10ms～1s之间，一般定在电畴完全反向时极化电流持续时间t的二分之一左右，高压脉冲通过一保护电阻加在单畴样品上。