| 发明名称 | 半导体装置的制造方法以及制造装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成TiN势垒膜,然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Cu片膜。让Cu片膜覆盖TiN势垒膜在广面积上形成。即使在TiN势垒膜和Cu片膜覆成膜时发生位置错位,也可以防止TiN势垒膜露出,使得成膜在Cu片膜覆上的铜镀膜不会从TiN势垒膜上剥离,防止渣子的产生,抑制由于该渣子所造成的半导体装置的不合格品的产生,提高半导体装置的制造成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1231505A | 申请公布日期 | 1999.10.13 |
| 申请号 | CN99105497.0 | 申请日期 | 1999.04.08 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 伊藤信和 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1．一种半导体装置的制造方法，包括在半导体圆片的表面上形成TiN膜的工艺、在所述TiN膜上形成Cu片膜的工艺和在所述Cu片膜形成铜镀膜的工艺，其特征是所述Cu片膜在覆盖所述TiN膜的广面积上形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||