发明名称 | 高-ε-介电层或铁电层的制造方法 | ||
摘要 | 本方法是一种多道工序的方法。其中,第一道工序是:在低温下溅射层件;在第二道工序中,在惰性气体气氛中,于中温或者高温下进行RTP工序;在第三道工序中,在含氧气氛中,在低温或中温下,对层件进行退火处理。温度负荷明显小于普通的方法。采用这种方法制造集成储存器件时,可以防止敷设在下方的阻挡层氧化。 | ||
申请公布号 | CN1231760A | 申请公布日期 | 1999.10.13 |
申请号 | CN97198370.4 | 申请日期 | 1997.09.19 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | W·哈特纳;G·欣德勒;R·布鲁赫豪斯;R·普里米格 |
分类号 | H01L21/3205;H01L27/115 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
主权项 | 1.在一载体(1至9)上制造高-ε-介电层或铁电层的方法,具有下列工序:1)在低于500℃的低的T1温度下溅射层件(10),2)在一种惰性气体中,在500-900℃的温度范围内的T2温度下进行一道RTP工序,3)在一种含氧气氛中,在200-600℃的温度范围内的T3温度下,对层件(10)进行退火。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |