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发明名称 GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH11278999(A) 申请公布日期 1999.10.12
申请号 JP19980098567 申请日期 1998.03.26
申请人 TOYOTA CENTRAL RES & DEV LAB INC;DENSO CORP 发明人 SUGIYAMA NAOHIRO;OKAMOTO ATSUHITO;TANI TOSHIHIKO;KAMIYA NOBUO;HIROSE FUSAO
分类号 C30B29/36;C30B23/00;(IPC1-7):C30B29/36 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
主权项
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