| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法,其特征为, 包含有: 在透明绝缘性基板上形成控制电极及控制电极布 线之制造过程; 在上述控制电极及控制电极布线上形成绝缘膜之 制造过程; 在上述控制电极上藉上述绝缘膜以形成半导体层 之制造过程; 在上述绝缘膜上形成透明导电膜之制造过程; 在上述透明导电膜上形成光阻(resist),以浓盐酸与 水为主要成份并对此混合浓硫酸而成的蚀刻液蚀 刻上述透明导电膜而形成像素电极之制造过程;以 及 形成与上述半导体层同时构成半导体元件之一对 电极之制造过程者。2.如申请专利范围第1项之薄 膜电晶体阵列基板之制造方法,其中控制电极及控 制电极布线之表面层系由电阻系数値较小的导电 体所形成者。3.一种薄膜电晶体阵列基板之制造 方法,其特征为,包含有: 在透明绝缘性基板上形成控制电极及控制电极布 线之制造过程; 在上述控制电极及控制电极布线上形成绝缘膜之 制造过程; 藉上述绝缘膜而在上述控制电极上形成半导体层 之制造过程; 形成与上述半导体层同时构成半导体元件之一对 电极之制造过程; 在上述一对电极上形成保护膜之制造过程; 在上述保护膜上形成透明导电膜之制造过程; 在上述透明导膜上形成光阻,以浓盐酸与水为主要 成份,并对其混合浓硫酸而成的蚀刻液蚀刻上述透 明导电膜而形成像素电极之制造过程者。4.如申 请专利范围第3项之薄膜电晶体阵列基板之制造方 法,其中一对电极及电极布线之表面层系由电阻系 数较小的导电体所形成者。5.如申请专利范围第1 项至第4项中任一项之薄膜电晶体阵列基板之制造 方法,其中该透明导电膜系由铟-锡氧化物所构成 者。6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之薄 膜电晶体阵列基板之制造方法,其中该蚀刻液系以 体积比计对浓盐酸1添加体积比0以上且未满3之水, 以及0.005以上且1以下的浓硫酸而成之混合液者。7 .如申请专利范围第1至4项中任一项之薄膜电晶体 阵列基板之制造方法,其中透明导电膜之蚀刻系将 蚀刻液之液温调整成70℃以下而实行者。8.一种液 晶显示装置,其特征为,具备有: 由如申请专利范围第1项至第7项中任一项所述之 方法形成的薄膜电晶体阵列基板及 与上述TFT阵列基板同时夹持液晶材料之具有对向 电极等之对向基板而成者。图式简单说明: 第一图为显示本发明实施形态1之TFT阵列基板之制 造过程之剖面图。 第二图为显示本发明实施形态1之ITO膜蚀刻液之硫 酸组成与ITO/A1蚀刻速度比之关系之图。 第三图为显示本发明实施形态1之ITO膜蚀刻液之水 组成与蚀刻图案之侧面蚀刻量之关系之图。 第四图为显示本发明实施形态1之ITO膜蚀刻液之液 温与蚀刻图案之侧面蚀刻量之关系之图。 第五图为显示本发明实施形态2之液晶显示装置之 TFT阵列基板之剖面图。 第六图为显示先前之该种TFT阵列基板之剖面图。 |
