发明名称 用于涂覆光阻薄膜之方法与装置
摘要 一种用来在一晶圆上涂覆一层光阻薄膜的方法与装置,其能够消除光阻薄膜的局部不均匀性(local non-unifiomity)及均匀地控制该光阻薄膜的厚度。该方法包括的步骤为气化(vaporizing)及射出一液态的光阻材料用以形成光阻粒子,使该等光阻粒子电气地带电,在该等光阻粒子将要通过的区域建立起一电场,藉以将该等光阻粒子偏向,及选择性地将该等光阻粒子通过一预设之区域,并将该等被选取的光阻粒子淀积于该晶圆上。该装置包括了一文氏管(Venturi tube),其是用来将液体之光阻材料抽泵上来并将该被抽泵上来的光阻材料以气态射出,一第一绝缘管是作为将于射出该液态的光阻材料时被形成的光阻粒子散布出去之用,被连接至一电压源之电极是作为将光阻粒子的流向加以偏向之用,一第二绝缘管系通过被该电极所偏向之该等光阻粒子及一第三绝缘管系只取得从该第二绝缘管跑出来之光阻粒子的一部分。
申请公布号 TW371800 申请公布日期 1999.10.11
申请号 TW084113164 申请日期 1995.12.09
申请人 现代电子产业股份有限公司 发明人 许翼范
分类号 H01L31/0216;H01L49/02 主分类号 H01L31/0216
代理机构 代理人 林镒珠
主权项 1.一种用来涂覆一光阻薄膜于一晶圆上的方法,该 方法包括的步骤为: 气化反射出一液态的光阻材料用以形成光阻粒子; 使该等光阻粒子电气地带电; 在该等光阻粒子将要通过的区域建立起一电场,藉 以将该等光阻粒子偏向;及 选择性地将该等光阻粒子通过一预设之区域,并将 该等被选取的光阻粒子淀积于该晶圆上。2.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中该气化及射出 一液态的光阻材料的步骤是藉由一文氏管的使用 而被实施的。3.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中该气化及射出一液态的光阻材料的步骤是藉 由一具有与被容纳于该液态光阻材料中之溶剂的 成分相同之气体流的使用而被达成的。4.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中使该等光阻粒子 电气地带电的步骤是在一离子化的气体氛围( atmosphere)中被实施的。5.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中使该等光阻粒子电气地带电的步骤 包括了植入离子原子于该等光阻粒子中。6.如申 请专利范围第1项所述之方法,其进一步包括了调 整一具有一预设的大小及位置的区域的步骤用以 只选取具有一预设的微粒大小之被偏向的光阻粒 子。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其进一步 包括供应一电压至该晶圆的步骤用以增进该带电 的光阻粒子的淀积率。8.一种用来涂覆一光阻薄 膜于一晶圆上的装置,其包括了: 一文氏管,其是用来将容纳于一被置于该文氏管之 下的容器中之光阻材料抽泵上来并将该被抽泵上 来的光阻材料以气态射出; 一被连接至该文氏管之第一绝缘管,该第一绝缘管 是作为将于射出该液态的光阻材料时被形成的光 阻粒子散布出去之用; 至少一被连接至该一电压源之电极,该电极是作为 将从该第一绝缘管出来的光阻粒子的流向加以偏 向之用; 一被连接至该第一绝缘管上之一第二绝缘管,被该 电极所偏向之该等光阻粒子通过该第二绝缘管;及 一被连接至该第二绝缘管上之第三绝缘管,该电三 绝缘管只取得从该第二绝缘管跑出来之光阻粒子 的一部分。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其 中该第二绝缘管在其一端具有一加大的部分。10. 如申请专利范围第8项所述之装置,其中该第三绝 缘管是被置于该该第二绝缘管的内部。11.如申请 专利范围第8项所述之装置,其进一步包括了一被 连接至该晶圆上且被设计来产生一与该等光阻粒 子的极性相反的极性的电荷之电压源。图式简单 说明: 第一图为一示意图,其展示出依据本发明之一光阻 涂覆装置。
地址 韩国