| 发明名称 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING IMPROVED IMPLANT AND ITS MANUFACTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11274496(A) |
申请公布日期 |
1999.10.08 |
| 申请号 |
JP19990031125 |
申请日期 |
1999.02.09 |
| 申请人 |
INTERNATL BUSINESS MACH CORP <IBM> |
发明人 |
DAINE C BOYD;BURNS STUART M;HUSSEIN I HANAPHY;TAUR YUAN;WILLE WILLIAM C |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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