| 发明名称 |
HEAT TREATMENT OF GALLIUM-ARSENIC SINGLE CRYSTAL AND GALLIUM-ARSENIC SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11268997(A) |
申请公布日期 |
1999.10.05 |
| 申请号 |
JP19980075132 |
申请日期 |
1998.03.24 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
发明人 |
YOSHIDA HIROAKI;YAMASHITA MASASHI;KIYAMA MAKOTO;KAWASE TOMOHIRO |
| 分类号 |
C30B29/42;(IPC1-7):C30B29/42 |
主分类号 |
C30B29/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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