半导体记忆体

摘要

本发明系有关于一种半导体记忆体，抑制以强感应体膜或高感应率的氧化膜为感应体的资讯储存用容量元件发生导通不良，作为实现稳定动作之半导体记忆体，本发明之半导体记忆体是在以闸氧化膜3、闸极4、扩散层5，6所构成的电晶体上部形成绝缘膜9，其上部是在形成资讯储存用容量元件17的扩散层6，介于多结晶矽膜10加以连接的;元件17系具有积层导电性膜ll、贵金属膜12之下部电极16、和氧化物膜13、和上部电极14;贵金属膜12除了主构成元素的贵金属元素外具有比贵金属元素的原子半径小的原子半径的添加元素，该元素与贵金属元素间的原子间结合能量是在贵金属元素间的原子间结合能量上下20％以内;藉此能抑制在贵金属膜12的氧之粒界扩散，还能抑制导电性膜ll的氧化，防止导电性膜ll与贵金属膜12间的剥离，并防止导通不良。

主权项

1.一种半导体记忆体,针对以连接在至少包含一层以上的贵金属层的下部电极上,形成具有强感应体膜或高感应率之氧化物膜,更在上述强感应体膜或上述氧化物膜上形成上部电极之资讯储存用容量元件,是直接与矽(Si)基板或介于导电性膜做导电连接之半导体记忆体中,其特征为:上述贵金属层至少含有一动添加元素,该添加元素中的至少一种是为具有比上述贵金属元素的原子半径小的原子半径之元素,并且上述元素与上述贵金属元素间的原子结能量是在上述贵金属元素间的原子间结合能量的上下20%以内。2.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆体,其中,上述贵金属层是以含有镍(Ni)、钴(Co)、钒(V)、铁(Fe)、铬(Cr)中至少一种元素的白金(Pt)所制成的。3.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆体,其中,上述贵金属层是以含有铜(Cu)、钯(Pd)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)中至少一种元素的金(Au)所制成的。4.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆体,其中,上述贵金属层是以含有铜(Cu)、钯(Pd)、铬(Cr)、金(Au)中至少一种元素的银(Ag)所制成的。5.如申请专利范围第1项所述之半导体记忆体,其中,针对上述添加元素的上述贵金属元素的浓度是从0.05原子浓度至50原子浓度。图式简单说明:第一图系本发明之第1实施形态之半导体记忆体主要部之断面图;第二图系表示针对以白金作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数的添加元素效果之图;第三图系表示针对以金作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数的添加元素效果之图;第四图系表示针对以银作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数的添加元素效果之图;第五图系表示针对以白金作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数比D/D0的添加元素浓度影响之图;第六图系表示针对以金作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数比D/D0的添加元素浓度影响之图;第七图系表示针对以银作为主构成元素所用的膜之粒界扩散系数比D/D0的添加元素浓度影响之图;第八图系本发明之第2实施形态之半导体记忆体主要部之断面图。