| 主权项 |
1.一种金氧半元件的制造方法,该制造方法至少包括:提供一基底,该基底上已形成至少有一第一闸极和一第二闸极,且该第一与该第二闸极各具有一第一间隙壁;以及于该第二闸极之该第一间隙壁的侧壁形成一第二间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述金氧半元件的制造方法,其中第一间隙壁材质包括氧化物。3.如申请专利范围第1项所述金氧半元件的制造方法,其中第二间隙壁材质包括氮化矽。4.一种金氧半元件的制造方法,提供具有一第一闸极与一第二闸极之一基底,该制造方法包括:于该第一闸极与该第二闸极侧壁形成一第一间隙壁;于该基底上形成一绝缘层;回蚀刻该绝缘层,以于该第一间隙壁的侧壁形成一第二间隙壁;以及去除该第一闸极之该第二间隙壁。5.如申请专利范围第4项所述金氧半元件的制造方法,其中该第一间隙壁材质包括氧化物。6.如申请专利范围第4项所述金氧半元件的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第5项所述金氧半元件的制造方法,其中去除该第一闸极之该第二间隙壁之方法包括:形成一罩幕层覆盖具有该第一间隙壁和该第二间隙壁之该第二闸极;进行一湿蚀刻,以去除该第一闸极之该第二间隙壁;以及去除该罩幕层。8.如申请专利范围第7项所述金氧半元件的制造方法,其中该湿蚀刻包括以热磷酸进行。9.如申请专利范围第4项所述金氧半元件的制造方法,其中该罩幕层之材质包括光阻材料。图式简单说明:第一图系显示一种习知金氧半元件之结构剖面示意图;以及第二图A至第二图E系显示根据本发明一较佳实施例之金氧半元件的结构之制造流程剖面图。 |
