| 主权项 |
1.一种单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中在一主制造过程中,将一晶棒切片所获得之晶圆承受研光、去角、蚀刻、镜面抛光、清洗、检验和运送之制造步骤,提供一用于暂时储存晶圆之储料器来执行以晶圆单元计量而得之批组为基准的批组控制。2.如申请专利范围第1项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中储料器被个别配置于至少在切片步骤后之某处和在运送步骤前之某处。3.如申请专利范围第1项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中储料器被个别配置于至少在接续于切片步骤的支撑板移去/清洗步骤之后和在最后清洗步骤之前。4.如申请专利范围第1项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中在主制造过程的制造步骤之间时,第一步骤A具有〝a〞晶圆之整批处理不小,步骤B具有〝b〞晶圆之整批处理大小...,最后步骤F具有〝f〞晶圆之整批处理大小,一步骤间之批组的大小L(晶圆)被决定为等于制造步骤A至F之整批处理大小a(晶圆)至f(晶圆)的最小公倍数。5.如申请专利范围第4项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中当制造步骤的整批处理大小之最大公约数以G(晶圆)代表时,一容纳至少G晶圆之卡匣被视为最小批组,而卡匣内之G晶圆被输送进入和离开一制造步骤,接受加工处理,载入于、储存于一储料器内和自储料器卸载;制造步骤之晶圆处理速率被控制或管理,使得最小批组(G晶圆)充当步骤间之批组(L晶圆)的子批组。6.如申请专利范围第5项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中储存于储料器内之晶圆承受与以最小批组(G晶圆)为基准的主制造步骤平行配置之次过程中的处理,然后,最小批组被再编组。7.如申请专利范围第6项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中次过程包含测量晶体定向、检验品质和去角三者中至少之一。8.如申请专利范围第1项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中当S晶圆被从单一晶棒切片且nG代表最小批组之大小G(晶圆)之整数倍时,无法构成一完整批组之零散晶圆的数目R可表示为R=(S-nG)其中S大于nG;而由个别晶棒产生之零散晶圆Ra,Rb,...和Rf被送至主制造过程以作为虚设晶圆。9.如申请专利范围第4项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中当S晶圆被从单一晶棒切片且nG代表最小批组之大小G(晶圆)之整数倍时,无法构成一完整批组之零散晶圆的数目R可表示为R=(S-nG)其中S大于nG;而由个别晶棒产生之零散晶圆Ra,Rb,...和Rf被送至主制造过程以作为虚设晶圆。10.如申请专利范围第1项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中以多线锯充当切片设备以在切片步骤中用于将一晶棒切片。11.一种单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中在一主制造过程中,将一晶棒切片所获得之晶圆承受研光、去角、蚀刻、镜面抛光、清洗、检验和运送之制造步骤,提供一用于暂时储存晶圆之储料器来执行以晶圆单元计量而得之批组为基准的批组控制。12.如申请专利范围第11项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中储料器被个别配置于至少在切片步骤后之某处和在运送步骤前之某处。13.如申请专利范围第11项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中储料器被个别配置于至少在接续于切片步骤的支撑板移去/清洗步骤之后和在最后清洗步骤之前。14.如申请专利范围第11项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中在主制造过程的制造步骤之间时,第一步骤A具有〝a〞晶圆之整批处理大小,步骤B具有〝b〞晶圆之整批处理大小...,最后步骤F具有〝f〞晶圆之整批处理大小,一步骤间之批组的大小L(晶圆)被决定为等于制造步骤A至F之整批处理大小a(晶圆)至f(晶圆)的最小公倍数。15.如申请专利范围第14项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中当制造步骤的整批处理大小之最大公约数以G(晶圆)代表时,一容纳至少G晶圆之卡匣被视为最小批组,而卡匣内之G晶圆被输送进入和离开一制造步骤,接受机制处理,载入于、储存于一储料器内和自储料器卸载;制造步骤之晶圆处理速率被控制或管理,使得最小批组(G晶圆)充当步骤间之批组(L晶圆)的子批组。16.如申请专利范围第15项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中储存于储料器内之晶圆承受与以最小批组(G晶圆)为基准的主制造步骤平行配置之次过程中的处理,然后,最小批组被再编组。17.如申请专利范围第16项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中次过程包含测量晶体定向、检验品质和去角三者中至少之一。18.如申请专利范围第11项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中当S晶圆被从单一晶棒切片且nG代表最小批组之大小G(晶圆)之整数倍时,无法构成一完整批组之零散晶圆的数目R可表示为R=(S-nG)其中S大于nG;而由个别晶棒产生之零散晶圆Ra,Rb,...和Rf被送至主制造过程以作为虚设晶圆。19.如申请专利范围第14项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之系统,其中当S晶圆被从单一晶棒切片且nG代表最小批组之大小G(晶圆)之整数倍时,无法构成一完整批组之零散晶圆的数目R可表示为R=(S-nG)其中S大于nG;而由个别晶棒产生之零散晶圆Ra,Rb,...和Rf被送至主制造过程以作为虚设晶圆。20.如申请专利范围第10项之单晶半导体矽晶圆制造中、控制制造步骤之方法,其中以多线锯充当切片设备以在切片步骤中用于将一晶棒切片。图式简单说明:第一图为一流程图,显示依据本发明之制造单晶半导体晶圆的步骤;第二图为一示意图,显示在第一图之流程图中的单一制造步骤(边缘抛光步骤)内之晶圆流动的例子;第三图为一流程图,显示在一传统晶圆制造系统中之制造单晶半导体晶圆的步骤之例子。 |
