| 主权项 |
1.一种形成绝缘薄膜之方法,其中该方法包括(A)将氢矽倍半氧烷树脂涂覆至基材上;(B)使氢矽倍半氧烷树脂熟化,以产生绝缘薄膜;及(C)将绝缘薄膜在1至1,000托范围之压力下,及在150℃至550℃范围之温度下加热。2.如申请专利范围第1项之方法,其中系将绝缘薄膜加热1分钟至1小时。3.如申请专利范围第1项之方法,其中系将绝缘薄膜加热至150℃与450℃范围之温度。4.如申请专利范围第1项之方法,其中氢矽倍半氧烷树脂为一种具有通式(HSiO3/2)n之聚合体,其中n为整数。5.如申请专利范围第1项之方法,其中系将氢矽倍半氧烷树脂溶解于溶剂中。6.如申请专利范围第1项之方法,其中氢矽倍半氧烷树脂另外含有添加剂。7.如申请专利范围第1项之方法,其中氢矽倍半氧烷树脂另外含有熟化加速剂。8.如申请专利范围第1项之方法,其中绝缘薄膜系在加热(C)之前,使用光阻薄膜光罩进行蚀刻,并以硷性液体处理。9.如申请专利范围第8项之方法,其中硷性液体为2-(2-胺基乙氧基)乙醇/羟胺水溶液。10.如申请专利范围第8项之方法,其中硷性液体为胺基乙醇之二甲亚溶液。11.一种制造半导体装置之方法,其中该方法包括(A)在已于其上形成半导体构件之半导体装置上,形成底部绝缘层;(B)于底部绝缘层上形成导电层;(C)使导电层构图,以形成下方阶层互连体;(D)将氢矽倍半氧烷树脂涂覆于下方阶层互连体上,接着使氢矽倍半氧烷树脂熟化,以形成层间介电层;(E)于层间介电层上形成光阻薄膜,并使光阻薄膜构图,以直接在下方阶层互连体上方提供开孔;(F)选择性蚀刻此光阻薄膜以开启通孔,其系达到下方阶层互连体;(G)移除任何残留光阻薄膜,以形成半等体装置;及(H)在1至1,000托范围之压力下,及在150℃至550℃范围之温度下,将半导体装置加热1分钟至1小时期间。12.如申请专利范围第11项之方法,其中系将氢矽倍半氧烷树脂溶解于溶剂中。13.如申请专利范围第11项之方法,其中光阻薄膜系藉氧电浆移除,且任何残留光阻薄膜与光阻薄膜氧化物系经由以硷性液体处理而被移除。14.如申请专利范围第11项之方法,其中氢矽倍半氧烷树脂具有式(HSiO3/2)n,其中n为整数。15.如申请专利范围第11项之方法其中氢矽倍半氧烷树脂系藉加热熟化。16.如申请专利范围第11项之方法,其中氢矽倍半氧烷树脂系经由曝露至高能辐射而被熟化。17.如申请专利范围第11项之方法,其中系在1至1,000托范围之压力下,及在150℃至450℃范围之温度下,将半导体装置加热5至20分钟期间。18.如申请专利范围第11项之方法,其中另外在通孔中形成层间互连体,并于其上形成上方阶层互连体与上方阶层层间介电层。图式简单说明:第一图(a)至(d)为在半导体装置制程中,使用本发明之形成绝缘薄膜之方法,个别阶段之横截面图。第二图包含在实例1中所制成绝缘薄膜之红外线吸收光谱。第三图包含在比较实例1中所制成绝缘薄膜之红外线吸收光谱。 |
