| 主权项 |
1.一种自我对准金属矽化合物的制程,适用于MOS电晶体,包括下列步骤:(a)提供一矽基底,其已形成有复晶矽构成的闸极、邻接该闸极两侧下方的源极/汲极;(b)在上述矽基底表面形成由第1钛层、高钛组成之氮化钛层、第2钛层依序所构成的复合钛层;以及(c)施以钛矽反应步骤,用以使上述复合钛层与闸极之复晶矽与源极/汲极之矽反应而形成矽化钛。2.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中步骤(b)之复合钛层系利用金属溅镀法所完成。3.如申请专利范围第2项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中步骤(b)形成于上述第1钛层与上述第2钛层之间的高钛组成之氮化钛层,系在含氩气的环境中,通入适量的氮气,体积浓度维持在2-20%范围,使氮气解离成氮离子与钛反应而得。4.如申请专利范围第2项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中高钛组成之氮化钛层的厚度介于10-50A之间。5.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中步骤(b)(c)之间更包括在上述第2钛层上方形成一氮化钛层之步骤。6.如申请专利范围第5项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中上述氮化钛层系使用溅镀法所形成。7.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中步骤(c)钛矽反应系利用快速热回火制程完成。8.如申请专利范围第1项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中步骤(c)之后更包括去除未参予反应之钛复合层的步骤。9.如申请专利范围第8项所述之自我对准金属矽化合物的制程,其中去除未参予反应钛复合层的步骤系利用化学蚀刻法完成。10.一种自我对准金属矽化合物的制程,适用于MOS电晶体,包括下列步骤:(a)提供一矽基底,其已形成有复晶矽构成的闸极、邻接该闸极两侧下方的源极/汲极;(b)利用溅镀法全面性在上述矽基底表面依序形成第1钛层、高钛组成之氮化钛层、第2钛层;(c)利用溅镀法在上述第2钛层表面形成一氮化钛层;(d)施以高温回火步骤,用以使上述闸极、源极/汲极区域表面的第1.2钛层与矽反应而形成矽化钛;以及(e)去除上述第1.2钛层、氮化钛未反应的部分。11.如申请专利范围第10项所述之自我对准金属矽化合物的制造方法,其中该第1钛层的厚度介于100-250A之间,该第2钛层的厚度介于100-200A之间,该高钛组成之氮化钛层的厚度介于10-50A之间,且该氮化钛厚度介于100-200A之间。图式简单说明:第一图为习知利用钛金属形成自我对准金属矽化合物之剖面示意图。第二图A至第二图D为根据本发明较佳实施例之自我对准金属矽化合物之流程剖面示意图。 |
