| 主权项 |
1.一种形成渠沟(trench)隔离之方法,其可应用于积体电路元件间之隔离,该方法之步骤包括:a)提供一基材,其包含一垫氧化层以及一垫氮化层,其中该垫氮化层形成于该垫氧化层之上;b)部份移除该垫氮化层,该垫氧化层和该基材以定义出一主动区域;c)形成一氮化物侧壁于该垫氮化层与该垫氧化层之侧边和一部份之该主动区域之上;d)形成一第一氧化层于该氮化物侧壁之间与该主动区域或未被氮化物侧壁覆盖之主动区域之上;以及e)移除该氮化物侧壁并于该第一氧化层之两端定义出该渠沟。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a)中之该基材为一矽基材。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该主动区域系利用微影(photolithography)和蚀刻技术所定义出。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)之后更包括一步骤以形成一复晶矽(polysilicon)层于该垫氮化层与该垫氧化层之另一部份的表面。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该复晶矽层系藉由化学气相沈积技术(CVD)所形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该氮化物侧壁系藉由电浆促进化学气相沈积技术(PECVD)所形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该氮化物侧壁系由氮化矽或氮氧化矽所组成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)中之该第一氧化层系藉由化学气相沈积技术(CVD)所形成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该步骤(e)中,以磷酸蚀刻该氮化物侧壁而移除之。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)之后更包括:f)形成一第二氧化层以填充该渠沟与覆盖该垫氮化层与该垫氧化层之另一部份和该第一氧化层;以及g)进行一回蚀过程以移除位于该垫氮化层与该垫氧化层之另一部份上方的部份第二氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该步骤(f)中之该第二氧化层系藉由化学气相沈积技术(CVD)或高密度电浆化学气相沈积技术(HDPCVD)所形成。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中在该步骤(g)之后更包括一步骤(h)以化学机械研磨法研磨该第二氧化层。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中在该步骤(h)之后更包括一步骤以完全移除该垫氮化层与该垫氧化层。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)之后更包括形成一复晶矽层以填充该渠沟和覆盖该第一氧化层之步骤。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该复晶矽层系藉由化学气相沈积技术(CVD)所形成。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中在形成该复晶矽层之后,氧化该复晶矽层之顶端部份以形成一第二氧化层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中在形成该第二氧化层之后,完全移除该垫氮化层与该垫氧化层。 |
